進相器專業(ye)KP型控制(zhi)硅

進相器使用可控住 硅（雙向晶閘管）有的是種大馬力的整流元器件封裝，它的整流端電壓可控住，當市場出清整流電
路的交流溝通工作工作電壓肯定時，輸入工作工作電壓就能夠均勻分布調接，它不是個四層三終端的半導體芯片元器。
在整流控住電路中，雙向晶閘管在頂住同向線電壓的時期內，變動觸及電磁的手機輸入此時，即變動控住
角的深淺，在負荷上可獲到有差異目標值的電壓量量電壓量量電壓量量，而控制了工作輸出電壓量量電壓量量的深淺。IGBT人工控制制硅（IGBT）導通的情況是陽極抗住朝電壓量量電壓量量，是傳導方式的IGBT，只是在門極加朝觸及電壓量量電壓量量，才可以使其導通。門極所加朝觸及脈沖發生器的不大長度，還應使陽極電壓量量高達穩定通態必需要的不大陽極電壓量量，即擎住電壓量量IL以內。導通后的人工控制制硅（IGBT）管壓降小。
使導開了的雙向可控硅關斷的能力是使走過可以控制硅（雙向可控硅）的電壓電流降低至有一個小的結果，即
保證工作電流IH下面。其的方式有二：
1、降低了大約正方向陽極電流電壓值至兩個值為一點，或加方向陽極電流電壓值。
2、加強環境下漏電開關中的電阻功率。